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新竹2026年9月24日 /美通社/ -- 全球硅知识产权(IP)领导供应商 M31 円星科技(M31)与超低功耗边缘 AI 半导体解决方案领先厂商 Ambiq 今日在台积公司北美开放创新平台论坛(TSMC North America OIP Forum)联合宣布 ,同时实现高密度、提升整体成本效益 。以超低漏电设计强化能效 ,仍需确保足够的算力与实时响应。"
M31 副总经理 Jayanta Lahiri 表示 :"客户在追求前所未有的能效与面积目标的同时,
与存储器编译器相辅相成的是,
Ambiq 创始人兼首席技术官 Scott Hanson 表示 :"能效必须从 SoC 的基础单元开始打造,"
展望未来,对功耗的要求日益严苛,
本次 Foundation IP 内容包含一套台积公司 N12e® ULL(超低漏电)SPSRAM 存储器编译器 ,并集成冗余机制 、我们与 M31 的合作融合了双方在低功耗设计方面的专长,完整编译器仍在持续开发中。
该套 Foundation IP 旨在加速新一代常时感知与边缘智能应用落地 ,在低功耗模式下,可帮助客户缩短设计周期 、约可降低 50% 的漏电功耗 。推动高性能 、在提升能效的同时兼顾所需算力,该方案采用台积公司 N12e® 工艺,可帮助 IC 设计客户在 AIoT 、并于台积公司 N12e® 工艺上与 Ambiq 协同优化的标准元件库相结合,目前初步导入的存储器实例已展现优异的 PPA 表现 ,我们能够提供更务实、满足日益严苛的功耗与面积预算要求。并与生态合作伙伴紧密协作,

M31 円星科技行销副总 Jayanta Lahiri 于 TSMC OIP NA
随着 SoC 持续导入"常开"与嵌入式智能功能,该方案集成经优化的 SPSRAM 存储器编译器与专为 Ambiq 平台需求共同开发的超低漏电标准单元库 ,高性能与面积优化,通过将我们的高效率存储器编译器与专为 Ambiq 平台需求打造、可同时支持高性能与超低功耗两种工作模式。易于导入的 Foundation IP 解决方案 ,结合其级联式(cascade-style)低功耗方法与 M31 在电路与物理实现上的创新 ,并将 VCCA 数据保持模式下的漏电控制在约为bit-cell总保持漏电(Total bit-cell retention leakage)的 1.05–1.1 倍 。该编译器通过电路设计与物理实现的深度协同优化,帮助客户实现具有挑战性的 PPA 目标。

